霍尔效应测量系统

美国TST(原MMR)公司，与斯坦福大学合作开发了专业的致冷器，其具有特别小的震动(埃米级别)、宽控温范围(70~730K)及高温度稳定性(0.1K），并将其应用在以下测量系统，提高了系统的整体性能。各个系统均采用模块设计，客户可根据实际要求配置系统，也方便日后升级。其主要客户有Standford Univ,University of CambridgeAT&&Bell Labs,NASA,IBM,Intel,AMD，中科院等。

霍尔效应测量系统主要用于研究光电材料的电学特性，可以测量材料在不同温度、磁场下的载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数及载流子类型

系统组成：

主要参数：

1. 样品固定方式：弹簧探针或引线治具

2. 温度：80~500K；室温~730K；室温（可选）

3. 磁场：5000Gauss永磁铁，5000Gauss电磁场， 1T电磁场， 1.4T电磁场， 2T电磁场（可选）

4. 温度稳定度：<=0.05K

5. 温度响应：1K/sec

6. 致冷片：10X14 mm

7. 电阻率：10-6~1013 Ohm*cm

8. 载流子迁移率：1~107 cm2/volt*sec

9. 载流子浓度：103~1019cm-3

10. 电流范围：1 pA~10mA

11. 电压范围：+/-2.5V，最小可测到6X10-6 V

12. 电阻范围：10 m Ohms~ 10G Ohms

主要特点：

主要客户：